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产品介绍 Product Intro
产品名称:

STS 2103B 半导体分立器件测试系统

产品名称: STS 2103B 半导体分立器件测试系统
上市日期: 2016-12-21
  • 产品概述
  • 产品规格
  • 详细参数
  • 关联案例
  • 关联方案



适用于三极管、二极管、MOS场效应管、结型场效应管、光电耦合器、可控硅等各种大、中、小功率半导体分立器件的直流参数测试。

测试原理符合相应的国家标准、国家军用标准和行业标准。

系统具有±10V,±40A的低电压参数测试范围和500V,40mA的高电压参数测试范围。

采用脉冲法参数测试,功率参数的测试脉宽为 300us(占空比2%),符合国军标的规定并有效抑制测试温升。

全线路采用四线开尔文测试原理,完全扣除接触电阻和接触压降,使大电流参数测试更加精确。
独特的硬件闭环HFE参数测试线路,使HFE数值更加精确,测试适应性更好。

系统提供TO-220、TO-3、TO-39等多种标准封装形式的测试适配器。



半导体分立器件是半导体器件中的重要组成部分,在高电压、大电流、高功率和高频等领域中起着集成电路无法替代的作用,但同时也给半导 体分立器件的参数测试带来了一定的技术难度。  北京华峰测控技术有限公司自主研制的STS 2103B 半导体分立器件测试系统,是STS 2100系列电子元器件测试系统中的重要组成部分,适用于三极管、二极管、MOS场效应管、结型场效应管、光电耦合器、可控硅等各种大、中、小功率半导体 分立器件的直流参数测试。系统较好地解决了半导体分立器件测试技术上的难点。

系统采用数字、模拟两次程控稳压,具有过压、过流保护功能的高压源系统,有效提高了高压参数的测试安全性。系统采用全线路四线开尔文测试原理,可完全扣除 系统各环节的接触电阻和接触压降,使大电流参数测试更加精确。系统采用低占空比(2%)300 uS脉冲测试,符合国军标要求,有效抑制了由于测试功率导致的器件温升及测试误差。系统还采用了共基极硬件闭环,恒定及补偿发射级电流的独特线路来精确稳 定被测器件的工作点,较好解决了HFE参数测试自激振荡的问题,使系统具有良好的测试适应性。

系统与传统的图示仪相比,所有参数的测试可一次完成,并可自动保存和打印测试数据,大幅度提高了测试效率和测量精度, 是半导体分立器件测试的理想设备。系统己被航天、航空、兵器、船舶、核工业、信息产业等军、民品领域的科研院所和企业广泛应用,同时也被我国半导体分立器 件国军标生产线确定为指定检测设备。




半导体三极管(NPN和PNP)

BVCBO, BVCEO, BVEBO, ICBO, ICEO, IEBO, VCES, VBES, HFE

半导体二极管(整流管、检波管、开关管、稳压管)
VR, IR, VF, VZ, RZ

结型场效应管(耗尽型)
BVGS, BVDS, IDSS, IGSS, VP, gm

MOS场效应管(增强型)
VGS(th), ID(on), RDS(on), VDS(on), gfs, BVDSS, IDSS, IGSSF, IGSSR

光电耦合器 (单光耦、双光耦、四光耦)
VCES, ICEO, BVCEO, VF, IR, VR, ctr

可控硅
IGT, VGT, VT, IDO, IDS, IH




低压源 (PSE、PSB、PSC)
内 容 量 程 分辨力 精确度
恒定电压
±10 V 5 mV 5 mV ±(0.25% setting +4LSB)
电压测量
±10 V,±5 V,±2 V,±1 V
0.25 mV ±(0.25% reading+4LSB)
恒定电流
±40 A, …, ±40 uA(7档) 2 nA ±(0.25% setting+5LSB)
电流测量 ±40 A, …, ±40 uA(7档) 2 nA ±(0.25% reading+5LSB)


高压源 (PSH)
内容 量程 分辨力 精确度
恒定电压
10 V, 20 V, 50 V, 100 V, 200 V, 500 V
2.5 mV
±(0.5% setting +4LSB)

电压测量

10 V, 20 V, 50 V, 100 V, 200 V, 500 V
2.5 mV ±(0.5% reading+4LSB)
恒定电流 ±40 mA, …, ±4 uA(5档) 2 nA ±(0.25% setting+5LSB)
电流测量 ±40 mA, …, ±4 uA(5档) 2 nA ±(0.25% reading+5LSB)

(以上指标供参考,以产品标准为准。分辨力为量程最小分辨力)



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